Съгласно стратегическата цел на БАН за периода 2009-2013г. (двигател в изграждане на общество основаващо се на знание и активен партньор в европейското изследователско пространство) научните изследвания и разработки в Направлението са в съгласие с програмите за разработване на нови технологии и иновации, които биха гарантирали устойчиво развитие и конкурентноспособност на българската икономика.

     В Направлението се провеждат научни и научно-приложни изследвания и разработки, в условия на активно международно сътрудничество, за целите на съвременната микроелектроника (наноскалата) и на акустоелектрониката.

     Изследванията са в следните области:

• разработка (технология, оптимизация на параметри, физика на процесите) на тънки и свръх-тънки диелектрични (вкл. high-k диелектрици) и полупроводникови слоеве актуални за високоплътни интегрални схеми (MOSFETs динамични памети от типа DRAMs, постоянни памети) от наноскалата с еквивалента дебелина на окиса под 1 nm
  
  
• създаване на нов тип микроелектронни структури изпълняващи функции на памет и/или сензор
  
  
• разработка на твърдотелни микросензори на основата на силициевата микроелектроника
  
  
• създаване на нови материали, технологии и пиезорезонансни структури за сензорни елементи и биокомпозити
  
  
• приложения на напречни повърхнинни акустични вълни, Релееви повърхнинни акустични вълни и обемни акустични вълни в ниско шумящи микровълнови осцилатори, комуникационни и сензорни системи

     Проблематиката е в съответствие с основните национални приоритети и тези на международни програми на Европейската общност, както следва: наноелектроника; телекомуникации; информационни технологии и информационно общество; екология и опазване на околната среда; медицина и здравеопазване.